 |
M12 โฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์เซ็นเซอร์สะท้อนแสง 10 เซ็นติเมตรที่ใช้ในระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | จีน |
| ชื่อแบรนด์: | F&C |
| ได้รับการรับรอง: | CE, RoHS |
| หมายเลขรุ่น: | DR12RI-S10P R2M |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 1 ชิ้น |
|---|---|
| ราคา: | Negotiate |
| รายละเอียดการบรรจุ: | 1 ชิ้นในกล่องสีขาวขนาดเล็ก |
| เวลาการส่งมอบ: | 10 วันหลังจากฝาก |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | wester N Union, MoneyGram, Paypal |
| สามารถในการผลิต: | 5000pcs ต่อเดือน |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| แหล่งกำเนิดแสง: | แสงมอดูเลตอินฟราเรด 850nm | ระยะตรวจจับ: | 10cm |
|---|---|---|---|
| แรงดันไฟฟ้าขณะทำงาน: | 12-24 VDC | ประเภทที่มีข้อบกพร่อง: | การสะท้อนแสงแบบกระจาย |
| เวลาตอบสนอง: | <0.3ms | อุณหภูมิการทำงาน: | -10 ~ 50 ℃ (ไม่มีน้ำแข็ง) |
| วงจรป้องกัน: | การป้องกันการกลับขั้วและการลัดวงจร | การประกัน: | ปีที่ 3 |
| แสงสูง: | industrial automation devices,industrial optical sensor |
||
รายละเอียดสินค้า
M12 โฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์เซ็นเซอร์สะท้อนแสง 10 เซ็นติเมตรที่ใช้ในระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม
M12 โฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์เซ็นเซอร์สะท้อนแสง 10 เซ็นติเมตรที่ใช้ในระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม
คุณสมบัติ:
* เส้นผ่าศูนย์กลาง: 12mm ทรงกลม
* DC 3 สายหรือ 4 สาย (12-24VDC +/- 10%)
* PNP NO หรือ NPN NO
* ระยะตรวจจับ: 10 ซม. (ชนิดกระจาย)
* พร้อมไฟแสดงสถานะสีแดงมุมมอง 360 องศา
* วงจรป้องกัน: ขั้วกลับ
* เกรดการป้องกัน: IP66
* รับประกัน 3 ปี
* วิธีการเชื่อมต่อ: สายเคเบิลยาว 2 ม., สาย 150 มม. แบบมีสายล่วงหน้าและขั้วต่อ M8
ข้อมูลจำเพาะ
| หมายเลข NPN | DR12RI-S10N R2M | ||
| PNP NO | DR12RI-S10P R2M | ||
| ประเภทการตรวจจับ | กระจาย | ||
| การตรวจจับมาตรฐาน วัตถุ; | 10cm * 10cm (กระดาษสีขาว) | ||
| ระยะตรวจจับ | 10cm | ||
| แหล่งกำเนิดแสง | แสงมอดูเลตอินฟราเรด 850nm | ||
| แรงดันไฟฟ้าขณะทำงาน | 12-24 VDC +/- 10% | ||
| เวลาตอบสนอง | สูงสุด 0.3ms | ||
| การบริโภคในปัจจุบัน | สูงสุด 15mA | ||
| กระแสโหลด | 100mA สูงสุดที่ 24 VDC | ||
| ความต้านทานของฉนวน | 20M โอห์มมิน ที่ 500 VDC | ||
| ความเป็นฉนวน | 60 วินาทีที่ 1000VAC 60HZ; | ||
| ระดับการป้องกัน | IP66 | ||
| อุณหภูมิในการทำงาน | -10 ℃ -50 ℃; (ไม่มีไอซิ่ง) | ||
| การป้องกันกระแสไฟฟ้าย้อนกลับ | ใช่ | ||
| ป้องกันไฟฟ้าลัดวงจร | ใช่ | ||
| วัสดุ | เอบีเอส | ||
| วิธีการลวด | dia4 * 2M / -3wires | ||
| น้ำหนัก | 107g | ||
12Vdc 18 มม. การสะท้อนแบบกระจายผ่านโฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์สวิทช์
12Vdc 18 มม. การสะท้อนแบบกระจายผ่านโฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์สวิทช์
12Vdc 18 มม. การสะท้อนแบบกระจายผ่านโฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์สวิทช์
12Vdc 18 มม. การสะท้อนกระจายผ่านโฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์
12Vdc 18 มม. การสะท้อนกระจายผ่านโฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์
12Vdc 18 มม. การสะท้อนกระจายผ่านโฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์
ต้องการทราบรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์นี้
